Технічний опис APT10045B2FLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10045B2FLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10045B2FLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APT10045B2FLLG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
APT10045B2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 11.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| APT10045B2FLLG | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS |
товару немає в наявності |