Технічний опис APT10050B2VFRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10050B2VFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10050B2VFRG | Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
| APT10050B2VFRG | MICROSEMI |
T-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050 кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
APT10050B2VFRG | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
| APT10050B2VFRG |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT10050B2VFRG |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.