APT10050B2VFRG Microchip Technology
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2006.46 грн |
| 500+ | 1708.25 грн |
| 1000+ | 1450.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10050B2VFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 21A, Pulsed drain current: 84A, Power dissipation: 520W, Case: TO247MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 500nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10050B2VFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10050B2VFRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT10050B2VFRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT10050B2VFRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT10050B2VFRG | Виробник : MICROSEMI |
T-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050 кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT10050B2VFRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| APT10050B2VFRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |