APT10050B2VFRG MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10050B2VFRG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 21A, Pulsed drain current: 84A, Power dissipation: 520W, Case: TO247MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 500nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10050B2VFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10050B2VFRG | Виробник : MICROSEMI |
T-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
| APT10050B2VFRG | Виробник : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247 T-MAX, RoHS |
товар відсутній |
||
| APT10050B2VFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |