APT10050LVRG Microchip Technology
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1727.4 грн |
| 100+ | 1470.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10050LVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10050LVRG за ціною від 1461.37 грн до 1857.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT10050LVRG | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
 MOSFET FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT10050LVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
| APT10050LVRG | Виробник : MICROSEMI |
TO264/POWER MOSFET - MOS5 APT10050 кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||||||||||
 |
APT10050LVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 [L] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
APT10050LVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |