APT10050LVRG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1676.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10050LVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10050LVRG за ціною від 1412.51 грн до 2712.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT10050LVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
APT10050LVRG | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
![]() |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
APT10050LVRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
APT10050LVRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
APT10050LVRG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |