
APT10078BLLG Microchip Technology
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1695.60 грн |
10+ | 1624.51 грн |
25+ | 1360.55 грн |
100+ | 1246.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10078BLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 403W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10078BLLG за ціною від 1714.19 грн до 1714.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT10078BLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
APT10078BLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 403W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A On-state resistance: 780mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
APT10078BLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
APT10078BLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
APT10078BLLG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
APT10078BLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 403W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A On-state resistance: 780mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |