APT10078BLLG Microchip Technology
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1645.53 грн |
| 100+ | 1399.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10078BLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 403W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10078BLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10078BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-3 On-state resistance: 780mΩ Technology: POWER MOS 7® Power dissipation: 403W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
APT10078BLLG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT10078BLLG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
| APT10078BLLG | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10078 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT10078BLLG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
APT10078BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-3 On-state resistance: 780mΩ Technology: POWER MOS 7® Power dissipation: 403W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A |
товар відсутній |