APT10086BVRG Microchip Technology
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1374.79 грн |
| 100+ | 1169.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10086BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 52A, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 860mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 275nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10086BVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT10086BVRG | Виробник : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
APT10086BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 860mΩ Mounting: THT Gate charge: 275nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
APT10086BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 860mΩ Mounting: THT Gate charge: 275nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |