на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2036.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GLQ65JU2 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Boost Chopper, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 165 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 430 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT100GLQ65JU2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT100GLQ65JU2 | Виробник : Microchip Technology |
 ISOTOP® Boost chopper 650V |
товару немає в наявності |
||
| APT100GLQ65JU2 | Виробник : Microchip Technology |
ISOTOP® Boost chopper 650V |
товару немає в наявності |
||
| APT100GLQ65JU2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; motors Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 270A Application: motors Electrical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT100GLQ65JU2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Boost Chopper Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 165 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 430 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| APT100GLQ65JU2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; motors Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 270A Application: motors Electrical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor |
товару немає в наявності |