APT100GN120B2G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FIELD STP 1200V 245A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/615ns
Switching Energy: 11mJ (on), 9.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 245 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 960 W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2077.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GN120B2G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - APT100GN120B2G - IGBT, 245 A, 960 W, 1.2 kV, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: -, Dauerkollektorstrom: 245A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції APT100GN120B2G за ціною від 2162.83 грн до 2162.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT100GN120B2G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - APT100GN120B2G - IGBT, 245 A, 960 W, 1.2 kV, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 960W Bauform - Transistor: - Dauerkollektorstrom: 245A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
APT100GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
APT100GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
APT100GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
APT100GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A TO-247 MAX |
товару немає в наявності |
|||||
 |
APT100GN120B2G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 100A; 960W; T-Max Collector current: 100A Case: T-Max Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 300A Technology: Field Stop Turn-off time: 935ns Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 0.1µs Type of transistor: IGBT Gate charge: 540nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 960W |
товару немає в наявності |