APT100GN120J Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A SOT-227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3093.26 грн |
| 100+ | 2632.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GN120J Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 153 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 446 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT100GN120J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT100GN120J | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| APT100GN120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 300A Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Kind of package: tube Electrical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT100GN120J | Виробник : MICROSEMI |
APT100GN120J APT100 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT100GN120J | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 153 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 446 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| APT100GN120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 300A Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Kind of package: tube Electrical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |