APT100GN120JDQ4 MICROCHIP (MICROSEMI)


Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT100GN120JDQ4 MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 70A, Case: SOT227B, Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 300A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT100GN120JDQ4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT100GN120JDQ4 Виробник : MICROSEMI ISOTOP®/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT100GN120JDQ4 Виробник : Microchip Technology IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227
товар відсутній
APT100GN120JDQ4 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товар відсутній