APT100GN120JDQ4 MICROSEMI
Виробник: MICROSEMIISOTOP®/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GN120JDQ4 MICROSEMI
Description: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 153 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 446 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT100GN120JDQ4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT100GN120JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 153 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 446 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| APT100GN120JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 |
товару немає в наявності |