APT100GN120JDQ4 MICROCHIP TECHNOLOGY


6563-apt100gn120jdq4-b-pdf.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT100GN120JDQ4 MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 153 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 446 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APT100GN120JDQ4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT100GN120JDQ4 Виробник : MICROSEMI 6563-apt100gn120jdq4-b-pdf.pdf ISOTOP®/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JDQ4 APT100GN120JDQ4 Виробник : Microchip Technology 6563-apt100gn120jdq4-b-pdf.pdf Description: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 153 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 446 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JDQ4 Виробник : Microchip Technology 6563-apt100gn120jdq4-b-pdf.pdf IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JDQ4 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 6563-apt100gn120jdq4-b-pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.