APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G Microchip Technology


APT100GN60LDQ4(G)_A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT TRENCH FS 600V 229A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 [L]
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/310ns
Switching Energy: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 600 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 229 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1061.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT100GN60LDQ4G Microchip Technology

Description: IGBT TRENCH FS 600V 229A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-264 [L], IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/310ns, Switching Energy: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 600 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 229 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 625 W.

Інші пропозиції APT100GN60LDQ4G за ціною від 825.66 грн до 1127.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT100GN60LDQ4G APT100GN60LDQ4G Виробник : Microchip Technology APT100GN60B2_G__A.pdf IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1127.36 грн
25+1065.79 грн
100+825.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60LDQ4G APT100GN60LDQ4G Виробник : Microchip Technology 13645645-apt100gn60ldq4-g-a-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60LDQ4G Виробник : MICROSEMI APT100GN60LDQ4(G)_A.pdf TO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT100GN60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60LDQ4G APT100GN60LDQ4G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89C928B84C0AB93D7&compId=APT100GN60LDQ4G.pdf?ci_sign=130159414bb3da7648c8063e15ef293320c1756f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264
Collector current: 135A
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Turn-off time: 435ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 600nC
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 625W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.