APT100GT120JU2 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2364.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GT120JU2 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT-227, Packaging: Bulk, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 140 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 480 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT100GT120JU2 за ціною від 2641.26 грн до 2641.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT100GT120JU2 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
APT100GT120JU2 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480000mW |
товару немає в наявності |
|||||
|
APT100GT120JU2 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480000mW |
товару немає в наявності |
|||||
| APT100GT120JU2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: SOT227B Application: motors Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 280A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |

