APT100GT60B2RG Microsemi
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GT60B2RG Microsemi
Description: IGBT NPT 600V 148A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns, Switching Energy: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 460 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 148 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції APT100GT60B2RG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT100GT60B2RG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: IGBT NPT 600V 148APackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns Switching Energy: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 460 nC Current - Collector (Ic) (Max): 148 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 500 W |
товару немає в наявності |