APT102GA60B2

APT102GA60B2 MICROCHIP TECHNOLOGY


index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656 Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 389ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Mounting: THT
Case: T-Max
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT102GA60B2 MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 102A, Pulsed collector current: 307A, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 389ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 780W, Kind of package: tube, Gate charge: 294nC, Technology: POWER MOS 8®; PT, Mounting: THT, Case: T-Max, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT102GA60B2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT102GA60B2 APT102GA60B2 Виробник : Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656 Description: IGBT 600V 183A 780W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT102GA60B2 APT102GA60B2 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 389ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Mounting: THT
Case: T-Max
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.