APT102GA60L Microsemi
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT102GA60L Microsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 102A, Pulsed collector current: 307A, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 313ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 780W, Kind of package: tube, Gate charge: 294nC, Technology: POWER MOS 8®, Mounting: THT, Case: TO264, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT102GA60L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT102GA60L | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 102A Pulsed collector current: 307A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 313ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Gate charge: 294nC Technology: POWER MOS 8® Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
APT102GA60L | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 183A 780W TO264 |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT102GA60L | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 102A Pulsed collector current: 307A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 313ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Gate charge: 294nC Technology: POWER MOS 8® Mounting: THT Case: TO264 |
товару немає в наявності |