APT10M07JVFR Microchip Technology
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5593.23 грн |
| 250+ | 4762.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10M07JVFR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A, Technology: POWER MOS 5®, Case: ISOTOP, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor, On-state resistance: 7mΩ, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain current: 225A, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 700W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10M07JVFR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10M07JVFR | Виробник : Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
APT10M07JVFR | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT10M07JVFR | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 7mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 225A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 700W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT10M07JVFR | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M07 кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT10M07JVFR | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 7mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 225A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 700W |
товару немає в наявності |