APT10M19SVFRG

APT10M19SVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)


Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT10M19SVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 75A, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 370W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 19mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 300nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT10M19SVFRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT10M19SVFRG Виробник : Microsemi MOSFET Power FREDFET - MOS5
товар відсутній
APT10M19SVFRG APT10M19SVFRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній