APT10M25BVRG Microchip Technology
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 822.40 грн |
| 100+ | 699.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10M25BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 225nC, On-state resistance: 25mΩ, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 75A, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 300W, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10M25BVRG за ціною від 1242.63 грн до 1331.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10M25BVRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
APT10M25BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
APT10M25BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
APT10M25BVRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC On-state resistance: 25mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 75A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
 |
APT10M25BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
APT10M25BVRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC On-state resistance: 25mΩ Gate-source voltage: ±30V Drain current: 75A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |