APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, Case: TO247-3, On-state resistance: 1.6Ω, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 280W, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 230nC.
Інші пропозиції APT1201R6BVFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
APT1201R6BVFRG Код товару: 171513
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
APT1201R6BVFRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 |
товару немає в наявності |
|
 |
APT1201R6BVFRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Case: TO247-3 On-state resistance: 1.6Ω Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC |
товару немає в наявності |