APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, On-state resistance: 1.6Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 280W, Polarisation: unipolar, Mounting: THT, Gate charge: 230nC, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Case: TO247-3, Pulsed drain current: 32A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1201R6BVFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
APT1201R6BVFRG Код товару: 171513 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
APT1201R6BVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Mounting: THT Gate charge: 230nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO247-3 Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
APT1201R6BVFRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 |
товар відсутній |
|
|
|
APT1201R6BVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A On-state resistance: 1.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 280W Polarisation: unipolar Mounting: THT Gate charge: 230nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO247-3 Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A |
товар відсутній |