APT1201R6SVFRG Microchip Technology
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1513.86 грн |
| 100+ | 1288.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1201R6SVFRG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, Case: D3PAK, On-state resistance: 1.6Ω, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 280W, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 230nC.
Інші пропозиції APT1201R6SVFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT1201R6SVFRG | Виробник : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 1200V, D3, TO-268, RoHS |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| APT1201R6SVFRG | Виробник : MICROSEMI |
D3PAK/POWER FREDFET - MOS5 APT1201R6 кількість в упаковці: 31 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT1201R6SVFRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Case: D3PAK On-state resistance: 1.6Ω Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC |
товару немає в наявності |