Продукція > MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP > APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG Microsemi Power Products Group

Name: APT12057B2FLLG
Brand: Microchip Technology
SKU: 5282239-4
Price: 89274.00 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Microsemi Power Products Group
Description: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT12057B2FLLG Microsemi Power Products Group

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Mounting: THT, Case: TO247MAX, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 185nC, On-state resistance: 570mΩ, Drain current: 22A, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 88A, Power dissipation: 690W, Drain-source voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT12057B2FLLG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT12057B2FLLG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Mounting: THT Case: TO247MAX Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 185nC On-state resistance: 570mΩ Drain current: 22A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 690W Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT12057B2FLLG	Виробник : Microchip Technology	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 22A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT12057B2FLLG	Виробник : Microchip Technology	MOSFETs FREDFET MOS7 1200 V 57 Ohm TO-247 MAX	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT12057B2FLLG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Mounting: THT Case: TO247MAX Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 185nC On-state resistance: 570mΩ Drain current: 22A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 690W Drain-source voltage: 1.2kV	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.