APT12060LVFRG

APT12060LVFRG Microchip Technology


12060b2vfr_lvfr.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT12060LVFRG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT12060LVFRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT12060LVFRG APT12060LVFRG Виробник : Microchip Technology 12060b2vfr_lvfr.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT12060LVFRG Виробник : MICROSEMI APT12060B2_LVFR_A.pdf TO264/POWER FREDFET - MOS7 APT12060
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT12060LVFRG APT12060LVFRG Виробник : Microchip Technology APT12060B2_LVFR_A.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT12060LVFRG Виробник : Microchip Technology APT1201R2B_SFLL_G__C-3444728.pdf MOSFETs FREDFET MOS5 1200 V 60 Ohm TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT12060LVFRG APT12060LVFRG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY APT12060B2_LVFR_A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 20A
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 625W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 650nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.