APT12060LVRG

APT12060LVRG Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1546.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT12060LVRG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 (L), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT12060LVRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT12060LVRG Виробник : Microchip Technology nods.pdf Power MOSFET 1K2V 20A Avalanche
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT12060LVRG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY APT12060LVRG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT12060LVRG APT12060LVRG Виробник : Microchip Technology APT12057B2_LLL_G__B-3444684.pdf MOSFETs MOSFET MOS5 1200 V 60 Ohm TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.