Продукція > DIODES INC > APT13003EZTR-G1
APT13003EZTR-G1

APT13003EZTR-G1 Diodes Inc


apt13003ez.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans GP BJT NPN 465V 1.5A 1100mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT13003EZTR-G1 Diodes Inc

Description: TRANS NPN 465V 1.5A TO92, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-92, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V, Power - Max: 1.1 W.

Інші пропозиції APT13003EZTR-G1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT13003EZTR-G1 APT13003EZTR-G1 Виробник : Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 465V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 465 V
Power - Max: 1.1 W
товар відсутній
APT13003EZTR-G1 APT13003EZTR-G1 Виробник : Diodes Incorporated APT13003E-273779.pdf Bipolar Transistors - BJT 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
товар відсутній