APT13003NZTR-G1 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - APT13003NZTR-G1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 530 V, 1.5 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 530V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT13003NZTR-G1 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - APT13003NZTR-G1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 530 V, 1.5 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 530V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції APT13003NZTR-G1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT13003NZTR-G1 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT13003NZTR-G1 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 530V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)