APT13GP120BDQ1G Microchip Technology


APT13GP120BDQ1_G__B-1593086.pdf Виробник: Microchip Technology
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.32 грн
100+472.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT13GP120BDQ1G Microchip Technology

Description: IGBT PT 1200V 41A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns, Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off), Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції APT13GP120BDQ1G за ціною від 676.83 грн до 1124.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT13GP120BDQ1G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT13GP120BDQ1G THT IGBT transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1124.04 грн
2+716.37 грн
5+676.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT13GP120BDQ1G Виробник : Microchip / Microsemi APT13GP120BDQ1(G)_B-1593086.pdf IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT13GP120BDQ1G APT13GP120BDQ1G Виробник : Microchip Technology 13gp120bdq1(g).pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT13GP120BDQ1G APT13GP120BDQ1G Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT PT 1200V 41A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns
Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off)
Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.