Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT13GP120BDQ1G
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G MICROCHIP TECHNOLOGY

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 270ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.59 грн
3+683.23 грн
10+595.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT13GP120BDQ1G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: IGBT PT 1200V 41A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns, Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off), Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції APT13GP120BDQ1G за ціною від 465.91 грн до 963.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT13GP120BDQ1G APT13GP120BDQ1G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+963.11 грн
3+851.40 грн
10+714.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT13GP120BDQ1G Виробник : Microchip Technology APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet-3444365.pdf IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 13 A TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.63 грн
100+465.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT13GP120BDQ1G Виробник : Microchip / Microsemi APT13GP120BDQ1(G)_B-1593086.pdf IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT13GP120BDQ1G APT13GP120BDQ1G Виробник : Microchip Technology 13gp120bdq1(g).pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT13GP120BDQ1G APT13GP120BDQ1G Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT PT 1200V 41A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns
Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off)
Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.