APT13GP120BG Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 465.21 грн |
| 100+ | 418.76 грн |
| 250+ | 355.87 грн |
| 500+ | 350.60 грн |
| 1000+ | 348.34 грн |
| 2500+ | 346.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT13GP120BG Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 41A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns, Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off), Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції APT13GP120BG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT13GP120BG | Microchip / Microsemi |
 IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single |
на замовлення 81 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT13GP120BG |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
на замовлення 81 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)