APT13GP120BG Microchip Technology


APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 13 A TO-247
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+426.86 грн
100+363.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT13GP120BG Microchip Technology

Description: IGBT PT 1200V 41A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns, Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off), Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 250 W.

Інші пропозиції APT13GP120BG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT13GP120BG Microchip / Microsemi APT13GP120B_S(G)_E-1593633.pdf IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT13GP120BG APT13GP120B_S(G)_E-1593633.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.