Продукція > MICROSEMI > APT14M100B

APT14M100B MICROSEMI

Name: APT14M100B
Brand: Microchip Technology
SKU: 8608280-4
Price: 618.93 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: MICROSEMI
TO-247/14 A, 1000 V, 0.88 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT14M100
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT14M100B MICROSEMI

Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT14M100B

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT14M100B	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT14M100B	Виробник : Microchip Technology	MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT14M100B	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3 Case: TO247-3 Kind of package: tube Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 880mΩ Drain current: 9A Pulsed drain current: 55A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 500W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.