APT150GN120J Microchip Technology
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2979.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT150GN120J Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 215 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 625 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT150GN120J за ціною від 2560.32 грн до 4607.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT150GN120J | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625W 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT150GN120J | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 215 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 625 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.5 nF @ 25 V |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
APT150GN120J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625W 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT150GN120J | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227 |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
 |
APT150GN120J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
APT150GN120J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625W 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
APT150GN120J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 215A 625W 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| APT150GN120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 99A; SOT227B Technology: Field Stop; Trench Collector current: 99A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 450A Kind of package: tube Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| APT150GN120J | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP 4/215 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT150GN120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| APT150GN120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 99A; SOT227B Technology: Field Stop; Trench Collector current: 99A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 450A Kind of package: tube Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товару немає в наявності |