APT15DQ100BG Microchip Technology
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.92 грн |
| 250+ | 128.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT15DQ100BG Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 235 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247 [B], Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції APT15DQ100BG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT15DQ100BG | Виробник : Microchip Technology |
 Diode Switching 1KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT15DQ100BG | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 235 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247 [B] Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |