APT15GP60BDQ1G Microchip Technology
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 308.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT15GP60BDQ1G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 56A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns, Switching Energy: 130µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 56 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції APT15GP60BDQ1G за ціною від 301.73 грн до 420.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT15GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: IGBT PT 600V 56A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns Switching Energy: 130µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 56 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A Power - Max: 250 W |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT15GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| APT15GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 15 A TO-247 |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
APT15GP60BDQ1G Код товару: 72788 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
||||||||
 |
APT15GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT15GP60BDQ1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 27A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 65A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Turn-on time: 20ns Turn-off time: 160ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| APT15GP60BDQ1G | Виробник : MICROSEMI |
TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
APT15GP60BDQ1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 27A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 65A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Turn-on time: 20ns Turn-off time: 160ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |