Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції APT15GP60BG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT15GP60BG | Microsemi |
 IGBT 600V 56A 250W TO247 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
APT15GP60BG | Microchip Technology |
Description: IGBT PT 600V 56A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 56 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A Power - Max: 250 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 110 шт В кошику од. на суму грн. |
| APT15GP60BG | Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 15 A TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
APT15GP60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 Technology: POWER MOS 7®; PT Pulsed collector current: 65A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 20ns Kind of package: tube Case: TO247-3 Turn-off time: 157ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 27A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 250W Gate charge: 55nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APT15GP60BG |
|
Виробник: Microsemi
IGBT 600V 56A 250W TO247 Транзистори
IGBT 600V 56A 250W TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APT15GP60BG |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns
Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A
Power - Max: 250 W
Description: IGBT PT 600V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns
Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT15GP60BG |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 15 A TO-247
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 15 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APT15GP60BG |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3
Technology: POWER MOS 7®; PT
Pulsed collector current: 65A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 20ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 157ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 27A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 55nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3
Technology: POWER MOS 7®; PT
Pulsed collector current: 65A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 20ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 157ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 27A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 55nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.