APT15GP90BDQ1G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 21A; 250W; TO247-3
Technology: POWER MOS 7®; PT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 23ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 170ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 21A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 60nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 516.37 грн |
| 3+ | 432.45 грн |
| 30+ | 416.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT15GP90BDQ1G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT PT 900V 43A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/33ns, Switching Energy: 200µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 60 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 43 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції APT15GP90BDQ1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT15GP90BDQ1G | Microchip Technology |
Description: IGBT PT 900V 43A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 9ns/33ns Switching Energy: 200µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 60 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 250 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. |
| APT15GP90BDQ1G | Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 15 A TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APT15GP90BDQ1G |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 43A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/33ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
Description: IGBT PT 900V 43A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/33ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT15GP90BDQ1G |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 15 A TO-247
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 15 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.