APT15GT60BRDQ1G Microchip Technology
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 448.88 грн |
| 10+ | 397.49 грн |
| 25+ | 326.79 грн |
| 100+ | 282.80 грн |
| 500+ | 240.91 грн |
| 1000+ | 210.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT15GT60BRDQ1G Microchip Technology
Description: IGBT 600V 42A 184W TO247, Power - Max: 184 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Part Status: Active, Gate Charge: 75 nC, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 150µJ (on), 215µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 6ns/105ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції APT15GT60BRDQ1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT15GT60BRDQ1G | Microsemi |
|
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT15GT60BRDQ1G |
![]() |
Виробник: Microsemi
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


