APT17F80S

APT17F80S Microsemi


APT17F80B_S_C-603681.pdf Виробник: Microsemi
MOSFET Power FREDFET - MOS8
на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT17F80S Microsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: D3Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3757 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT17F80S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT17F80S APT17F80S Виробник : Microchip Technology APT17F80B_S_C.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3757 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT17F80S APT17F80S Виробник : Microchip Technology APT11F80B_S_C.pdf MOSFETs FREDFET MOS8 800 V 17 A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.