Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT18F60B

APT18F60B Microchip Technology

Name: APT18F60B
Brand: Microchip Technology
SKU: 5172332-4
Price: 433.9 UAH
Availability: InStock

Виробник: Microchip Technology
MOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-247

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	433.90 грн
100+	392.70 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT18F60B Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3, Mounting: THT, Power dissipation: 335W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 90nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 65A, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, On-state resistance: 370mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT18F60B

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT18F60B	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 335W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 65A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 370mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT18F60B	Виробник : MICROSEMI	TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT18F60 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT18F60B	Виробник : Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT18F60B	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 335W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 65A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 370mΩ Type of transistor: N-MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.