на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 389.24 грн |
| 100+ | 352.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT18F60B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 65A, Power dissipation: 335W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 370mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 90nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT18F60B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT18F60B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 335W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT18F60B | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT18F60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT18F60B | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 |
товар відсутній |
|
|
|
APT18F60B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 335W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |