Технічний опис APT200GN60B2G Microchip Technology
Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 283A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 13mJ (on), 11mJ (off), Test Condition: 400V, 200A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 1180 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 283 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 682 W.
Інші пропозиції APT200GN60B2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT200GN60B2G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 283A 682W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT200GN60B2G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT200GN60B2G THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
APT200GN60B2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 283A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 13mJ (on), 11mJ (off) Test Condition: 400V, 200A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 1180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 283 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 682 W |
товару немає в наявності |
|
 |
APT200GN60B2G | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 200 A TO-247 MAX |
товару немає в наявності |