APT200GN60J Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 283 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 682 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2482.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT200GN60J Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 283 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 682 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT200GN60J за ціною від 2294.05 грн до 3470.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227 |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товар відсутній |
|||||||||||
| APT200GN60J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B Technology: Field Stop; Trench Collector current: 158A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Application: for inductive load; for UPS; motors Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| APT200GN60J | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE APT200 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| APT200GN60J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B Technology: Field Stop; Trench Collector current: 158A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Application: for inductive load; for UPS; motors Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |