APT200GN60J Microchip Technology

Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 283 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 682 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2762.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT200GN60J Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 283 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 682 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT200GN60J за ціною від 2527.95 грн до 3618.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
APT200GN60J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 158A Case: SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Technology: Field Stop; Trench кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
APT200GN60J | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
APT200GN60J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 158A Case: SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |