APT200GN60J Microchip Technology
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2960.89 грн |
| 100+ | 2519.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT200GN60J Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 283 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 682 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT200GN60J за ціною від 2914.46 грн до 3766.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| APT200GN60J | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE APT200 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
APT200GN60J | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 283 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 682 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| APT200GN60J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B Technology: Field Stop; Trench Application: for inductive load; for UPS; motors Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 158A Max. off-state voltage: 0.6kV Pulsed collector current: 600A |
товару немає в наявності |