APT200GN60JDQ4 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 283 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 682 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3630.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT200GN60JDQ4 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 283 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 682 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT200GN60JDQ4 за ціною від 3231.85 грн до 3795.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT200GN60JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 200 A SOT-227 |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT200GN60JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
APT200GN60JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
APT200GN60JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
APT200GN60JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
APT200GN60JDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
товару немає в наявності |
|||||||
| APT200GN60JDQ4 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 158A Case: SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Technology: Field Stop; Trench кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| APT200GN60JDQ4 | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT200GN60 кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| APT200GN60JDQ4 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 158A Case: SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |