APT200GT60JR

APT200GT60JR Microchip Technology


apt200gt60jr_d.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 600V 195A 500000mW
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT200GT60JR Microchip Technology

Description: IGBT MOD 600V 195A 500W SOT227, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 195 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.65 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APT200GT60JR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT200GT60JR Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 6714-apt200gt60jr-datasheet APT200GT60JR IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT200GT60JR APT200GT60JR Виробник : Microchip Technology 6714-apt200gt60jr-datasheet Description: IGBT MOD 600V 195A 500W SOT227
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 195 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT200GT60JR Виробник : Microchip Technology APT200GT60JR_D-1593660.pdf IGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Single 600 V 200 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.