APT20GN60BG Microsemi
Виробник: MicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20GN60BG Microsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 24A, Power dissipation: 136W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Gate charge: 0.12µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 19ns, Turn-off time: 290ns, Technology: Field Stop.
Інші пропозиції APT20GN60BG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT20GN60BG | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT20GN60BG | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 136W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT20GN60BG | Виробник : MICROSEMI |
кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT20GN60BG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: IGBT 600V 40A 136W TO247 |
товару немає в наявності |
|
 |
APT20GN60BG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 24A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 19ns Turn-off time: 290ns Technology: Field Stop |
товару немає в наявності |