Продукція > MICROSEMI > APT20GT60BRG

APT20GT60BRG Microsemi


APT20GT60BR(G)_E-603688.pdf Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT20GT60BRG Microsemi

Description: IGBT NPT 600V 43A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 8ns/80ns, Switching Energy: 215µJ (on), 245µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 43 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 174 W.

Інші пропозиції APT20GT60BRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT20GT60BRG APT20GT60BRG Виробник : Microchip Technology 3936729-apt20gt60br-g-e-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 43A 174mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT20GT60BRG Виробник : MICROSEMI 6729-apt20gt60brg-datasheet кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT20GT60BRG APT20GT60BRG Виробник : Microchip Technology 6729-apt20gt60brg-datasheet Description: IGBT NPT 600V 43A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/80ns
Switching Energy: 215µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 174 W
товар відсутній