
APT20M11JVFR Microchip Technology
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6860.74 грн |
100+ | 5840.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M11JVFR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A, Technology: POWER MOS 5®, Drain current: 175A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 700W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Case: ISOTOP, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 700A, Semiconductor structure: single transistor, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 200V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M11JVFR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT20M11JVFR | Виробник : Microsemi |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
APT20M11JVFR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APT20M11JVFR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT20M11JVFR | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Technology: POWER MOS 5® Drain current: 175A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: ISOTOP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 700A Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 200V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APT20M11JVFR | Виробник : Microsemi Power Products Group |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APT20M11JVFR | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Technology: POWER MOS 5® Drain current: 175A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: ISOTOP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 700A Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 200V |
товару немає в наявності |