APT20M11JVR Microchip Technology
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M11JVR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A, Case: ISOTOP, Technology: POWER MOS V®, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor, On-state resistance: 11mΩ, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Kind of package: tube, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 175A, Pulsed drain current: 700A, Drain-source voltage: 200V, Power dissipation: 700W.
Інші пропозиції APT20M11JVR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT20M11JVR | Виробник : APT |
 175A/200V/MOS/1U |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
APT20M11JVR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 200V 175A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT20M11JVR | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 200V, 0.011_OHM, SOT-227 |
товару немає в наявності |
|
 |
APT20M11JVR | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Case: ISOTOP Technology: POWER MOS V® Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Kind of package: tube Gate-source voltage: ±30V Drain current: 175A Pulsed drain current: 700A Drain-source voltage: 200V Power dissipation: 700W |
товару немає в наявності |