APT20M120JCU2 MICROCHIP TECHNOLOGY


index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=6736 Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 200V; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 104A; 543W
Technology: POWER MOS 8®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
On-state resistance: 672mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: boost chopper
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 543W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT20M120JCU2 MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 200V; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 104A; 543W, Technology: POWER MOS 8®, Case: ISOTOP, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: diode/transistor, On-state resistance: 672mΩ, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Topology: boost chopper, Drain current: 15A, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 200V, Pulsed drain current: 104A, Power dissipation: 543W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT20M120JCU2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT20M120JCU2 APT20M120JCU2 Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=6736 Description: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M120JCU2 Виробник : Microsemi APT20M120JCU2-Rev1-1291606.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M120JCU2 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=6736 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 200V; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 104A; 543W
Technology: POWER MOS 8®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
On-state resistance: 672mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: boost chopper
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 543W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.