APT20M16B2LLG Microchip Technology
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2040.64 грн |
| 10+ | 2010.7 грн |
| 100+ | 1605.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M16B2LLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 694W, Case: TO247MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M16B2LLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT20M16B2LLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 694W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT20M16B2LLG | Виробник : MICROSEMI |
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX APT20M16B2 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
| APT20M16B2LLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 694W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |