APT20M22LVRG Microchip Technology
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1542.97 грн |
| 10+ | 1520.16 грн |
| 100+ | 1214.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M22LVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 520W, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 22mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 435nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M22LVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT20M22LVRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT20M22LVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 435nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT20M22LVRG | Виробник : MICROSEMI |
TO-264 [L] кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT20M22LVRG | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 |
товар відсутній |
|
|
|
APT20M22LVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 435nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |