APT20M38BVRG Microchip Technology
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 854.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M38BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 67A, Pulsed drain current: 268A, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 38mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 225nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M38BVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT20M38BVRG | Виробник : Microchip / Microsemi |
 MOSFET FG, MOSFET, 200V, TO-247, RoHS |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
APT20M38BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT20M38BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 67A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT20M38BVRG | Виробник : MICROSEMI |
TO247-3/MOSFET N-CH 200V 67A APT20M38 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT20M38BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 67A; Idm: 268A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 67A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |