APT20M38BVRG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 67A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 942.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M38BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 67A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT20M38BVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT20M38BVRG | Microchip / Microsemi |
MOSFET FG, MOSFET, 200V, TO-247, RoHS |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT20M38BVRG |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
MOSFET FG, MOSFET, 200V, TO-247, RoHS
MOSFET FG, MOSFET, 200V, TO-247, RoHS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)