APT20M38SVRG

APT20M38SVRG Microchip Technology


5961-apt20m38svr-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+894.06 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT20M38SVRG Microchip Technology

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 67A; 370W; D3PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS V®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 67A, Power dissipation: 370W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 38mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 225nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT20M38SVRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT20M38SVRG Виробник : Microsemi 60515 MOSFET Power MOSFET - MOS5
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT20M38SVRG APT20M38SVRG Виробник : Microchip Technology 20m38svr.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT20M38SVRG APT20M38SVRG Виробник : Microchip Technology 20m38svr.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT20M38SVRG APT20M38SVRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) APT20M38SVRG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 67A; 370W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS V®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 67A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT20M38SVRG Виробник : MICROSEMI 5961-apt20m38svr-datasheet D3PAK 3/67 A, 200 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT20M38
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT20M38SVRG APT20M38SVRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) APT20M38SVRG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 67A; 370W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS V®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 67A
Power dissipation: 370W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній