APT20M38SVRG Microchip Technology


5961-apt20m38svr-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+991.38 грн
100+775.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT20M38SVRG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D3Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT20M38SVRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT20M38SVRG Microsemi 60515 MOSFET Power MOSFET - MOS5
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M38SVRG 60515
Виробник: Microsemi
MOSFET Power MOSFET - MOS5
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.