
APT22F80B Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 800V 23A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 25 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 713.05 грн |
100+ | 557.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT22F80B Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 23A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT22F80B за ціною від 556.91 грн до 769.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT22F80B | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
APT22F80B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |