Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT23F60B

APT23F60B Microchip Technology

Name: APT23F60B
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: 459518176-1
Price: 755.63 UAH
Availability: BackOrder

7917509312142346774-apt23f60b-apt23f60s-datasheet.pdf

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT23F60B Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 14A, On-state resistance: 0.29Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 415W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 110nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 80A, Mounting: THT, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT23F60B

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT23F60B	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 415W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT23F60B	Виробник : MICROSEMI	TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT23F60 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT23F60B	Виробник : Microsemi Power Products Group	Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT23F60B	Виробник : Microchip Technology	MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 23 A TO-247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT23F60B	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 415W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 80A Mounting: THT Case: TO247-3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.